optodiode探测器常见问题及解决方法如下：美国optodiode探测器响应时间太长（时间常数太慢），第一步是检查源强度。如果光源的强度太高（**过1mW/cm2），探测器材料将加热到改变探测器特性的点。这种变化迫使探测器比较初进行测量所需的时间更长，因为基本上探测器被重新敏化，这改变了探测器的光导特性。对探测器性能的影响程度取决于加热/变化区域与整个探测器表面积的比率。

optodiode探测器是线性的吗？通常，当我们谈论线性时，我们指的是响应性线性。当胶片耗尽自由载流子时，这些载流子将被入射光子强制传导，探测器被推入非线性区域。入射光子不再增加探测器的响应。有关线性图表，请参阅下图。PbS，PbSe探测器信号输出与入射辐射呈线性关系，范围为10-7W/cm²至10-3W/cm²。

optodiode探测器的具体应用问题

探测器可以用于脉冲激光轮廓或定位，只要激光的脉冲宽度足够长，波长在正确的范围内，功率密度在极限范围内。请注意您正在使用/考虑的型号的探测器时间常数。探测器时间常数在微秒范围内。如果脉冲宽度明显快于此范围，则探测器将没有足够的时间响应激光脉冲。

如果用于测量脉冲激光束的辐射，探测器可以在没有斩波器的情况下使用吗？

美国optodiode探测器不需要斩波器。斩波器通常用于调制信号源，允许对信号进行频段限制放大，从而提高信号/噪声比。如果光源已经调制（脉冲激光束），则*使用斩波器。必须注意确保探测器胶片上的激光功率不足以损坏胶片。此外，要使此应用正常工作，脉冲必须在探测器的响应时间内。

optodiode探测器与不同探测器材料的比较

正在使用InGaAs阵列，如何切换到PbS阵列。PbS阵列的**效率是多少？

光电探测器（PbS）不以**效率为特征，因为从理论上讲，与InGaAs光伏探测器不同，它们是完全有效的（**QE）。比较PbS和InGaAs阵列的更好方法是使用检测率（D *），这实际上是归一化的信噪比。通常，PbS探测器的检测率略优于扩展的InGaAs光伏探测器。但是，如果您正在研究较短的波长（<1.7μm），标准InGaAs的D*值往往**PbS。

PV=光伏，PC=光电

探测器的可检测性，检测率定义为按探测器面积归一化的探测器的信噪比。随着探测器温度的降低，检测率增加。请查阅下图，了解PbS探测器和PbSe探测器的检测率与温度的关系图。

探测器的光谱响应，光谱响应定义了探测器对各种波长辐射的灵敏度。PbS探测器在1-3μm区域敏感，PbSe探测器在1-5.5μm区域敏感。冷却探测器会将PbS探测器和PbSe探测器的光谱响应转移到更长的波长。标准PbS和PbSe探测器的典型光谱响应如下所示。

探测器工作温度如何影响探测器特性？随着探测器工作温度的降低，检测率、响应度和光谱响应也会提高。

PbS/PbSe探测器的典型频率响应是多少？探测器具有1/f噪声特性，因此较低的频率具有较高的噪声，因此D*值较低。随着斩波频率的增加，信号电平保持相对恒定，直至达到探测器响应限值。因此，如果系统没有频段限制噪声测量（宽带放大），则信号/噪声（D*）将恒定在响应限值以下。如果噪声读数在斩波频率周围有频带限制，则D*将增加到探测器响应由于其时间常数而开始滚降的程度。对于PbSe探测器，选择1kHz作为标准斩波频率，因为它远离1/f噪声，但低于时间常数响应限值。下图为PbS/PbSe探测器典型频率响应的图表。

optodiode探测器的偏置电路

对偏置电路有哪些建议？对于我们的测试，我们使用分压器偏置电路，其负载电阻设置为1兆欧或设置为等于检测器暗电阻的电阻。运算放大器几乎可以是具有高输入阻抗的任何东西。我们推荐使用FET输入运算放大器，其输入电阻通常约为10^12欧姆，并且工作良好。请参阅我们的探测器技术说明部分，了解简单的测试偏置电路图。

负载电阻值应设置在什么位置？应选择负载电阻值以匹配探测器暗电阻。