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    高功率光束轮廓诊断设备

    高功率光束轮廓诊断设备

    更新时间：2025-02-07   浏览数：643
    所属行业：电子 LED/光电子
    发货地址：广东省深圳市龙岗区  
    产品规格：LAM Beam Analyzer, LAM U3, M2 Beam HP
    产品数量：100.00台
    价格：￥72000.00 元/台 起
    在线留言
    产品规格LAM Beam Analyzer, LAM U3, M2 Beam HP产品名称大功率光束分析仪 光谱范围250-2000nm 风冷采样器型号SAM3-HP 产品型号LAM Beam Analyzer, LAM U3, M2 Beam HP 采样系数1.1×10-5 外型尺寸40 mm dia. × 31 mm length 通光孔径8 × 8 mm 从输入到采样表面的较小光路25mm 传感器类型硅基，使用刀口法测量技术 刀口数7 光谱范围：硅：350-1100nm 功率范围@900/1070 nm较高4KW 光斑尺寸范围35微米至8毫米 工作距离 49mm 较高BPP较大输入角度-25deg 功率精度± 5 ％ 工作温度0℃-35℃ 重量2.5kg 尺寸100×173×415 mm 机械调整水平角：±1.5° 垂直角：±1.5°




    深圳维尔克斯光电有限公司专业代理高功率光束轮廓诊断设备-大功率光束分析仪。近年来大功率激光光束质量的测量一直是激光行业的一个难点和痛点。无论是CMOS/CCD传感器还是刀口式检测原理，都无法承受大功率激光的直接接收，因为CMOS传感器或者CCD传感器的灵敏度都很高，仅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范围，这使得大功率激光无法实现直接检测，这会导致因激光功率过高而直接损坏传感器，哪怕使用衰减片（ND）仍无法满足，甚至需要配合多个衰减片进行一个整体组合后才可使用，这会使得激光整体模式受到不可估计的影响。
    以色列DUMA公司近期研制出一款带风冷采样器的高功率光束轮廓诊断设备，通过压缩空气降温的原理来实现冷却。该采样器可以提供1.1×10-5的采样效率，相比于衰减片（ND）而言，效率更高，且适用于多种场合。该采样器可以与现有光束质量分析仪相匹配，出厂即完成装配，可以满足用户对于高功率激光的检测，对于连续激光，较高可承受4KW的功率。
    我司为用户提供两种系列光束质量分析仪，LAM和M2-Beam，其中LAM可用于检测工作面上的聚焦激光，其检测原理为刀口式测量原理，仅可检测连续激光（CW），M2-Beam的普通型号同样采取刀口式测量原理。当然，为了满足用户对于脉冲激光（Pulsed）的检测需求，我们也提供CMOS传感器版本（-U3型号）。
    以上机型均可安装风冷采样器，SAM-HP-M。需要注意的是，在测量大功率激光时，连续曝光时间不能**过5s。并且高功率机型出厂后，风冷采样器处于已装配状态，原则上讲我们不提倡用户将其拆卸，因为其中涉及到接收对准和安装工艺问题，这会导致拆卸后无法安装的问题存在，基于更小的灵敏度，仪器哪怕装载了风冷采样器，对于小功率激光仍具备一定的探测能力。


    大功率光束分析仪的核心部件——风冷采样器规格参数：
     
    型号 SAM3-HP
    光谱范围 250-2000nm
    采样系数 1.1×10-5
    外型尺寸 40 mm dia. × 31 mm length
    通光孔径 8 × 8 mm
    从输入到采样表面的较小光路 25mm（视具体型号而定）


    LAM大功率激光光束质量分析仪产品规格参数：
    LAM-BA LAM-U3
    传感器类型 硅基，使用刀口法测量技术 CMOS
    刀口数 7 -
    光谱范围： 硅：350-1100nm 350-1310nm
    功率范围@900/1070 nm 较高4KW（需要衰减片和高压空气风冷，可能会有一些限制） 连续激光1-2500W，脉冲激光1-1000W
    光斑尺寸范围 35微米至8毫米 75微米-6毫米
    分辨率（H × V像素） 根据光束大小自适应 1920 ×1200
    传感器有效尺寸 9 × 9 11.34 × 7.13
    工作距离 49mm 从输入表面到传感器的光学距离为40.7±0.2毫米
    较高BPP 较大输入角度-25deg 较大输入角度-25deg
    最大功率密度 1,000,000 W/cm2 1,000,000 W/cm2
    光束宽度精度 ± 1.5 ％ ± 1.5 ％
    功率精度 ± 5 ％ ± 5 ％
    工作温度 0℃-35℃ 0℃-35℃


    M2-Beam 大功率光束分析仪产品规格：
    -输入光束
    M2Beam M2Beam U3
    技术工艺 刀口式扫描原理，应用Si探测器，InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器 USB 3.0接口
    CMOS 2.4MP
    内置过滤论
    光谱响应（nm） SI传感器：350-1100
    InGaAs传感器：800-1800
    Enhanced InGaAs 传感器：800-2700 VIS-NIR：350-1600
    UV-NIR：220-1350
    激光功率范围 Si：100 μW-1 W（带衰减片）
    InGaAs&UV：100 μW-5 mW
    HP：4 kW以下 10μW-100mW，内置滤光轮
    HP：4 kW以下
    刀口数 7 —
    光束尺寸 带透镜高达25mm直径（Si&UV版本）
    束腰到透镜距离 2.0~2.5米较佳
    较小2米


    -扫描装配附件
    材质 铝
    透镜焦距 300mm（在632.6nm时）
    透镜直径 25mm
    扫描次数 140
    较小步进尺寸 100μm
    扫描长度 280mm


    -整机
    重量 2.5kg
    尺寸 100×173×415 mm
    托架 M6或1/4“固定
    机械调整 水平角：±1.5°
    垂直角：±1.5°
    电缆长度 2.5m


    高功率光束分析仪订购型号及描述：
    LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter
    LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,
    M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
    M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
    M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
    M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
    M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
    SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams 


    http://welloptics.cn.b2b168.com

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