美国OptoDiode分段光电二极管

响应性好，噪音低，OptoDiode分段光电二极管

美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器，AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探测器存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C，在氮气或真空是-20°C至80°C，引线焊接温度是260°C。**过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和波长低于150纳米的辐射的反应性将受到影响。距离外壳0.080"，持续10秒。发货时带有临时盖子，以保护光电二极管和导线连接。在拆除盖子之前，请查看OptoDiode，"IRD检测器的处理注意事项"。美国OptoDiode分段探测器光子响应性好，噪音低，是电子检测的理想选择。

OptoDiode分段光电二极管型号

常见的基板分段探测器是精确归零或定心应用的理想选择，提供双节电池或四节电池配置。

ODD-3W-2分段光电二极管的特点

- 红色增强型

- 低噪音

- 高响应

- 高分流电阻

- 扁平的TO-5封装    

在VR=5 V测试条件下，暗电流典型值是0.9na，较大值是5na。VR=10 mV， 分流电阻的典型值是300欧姆。当VR=0 V, f=1MHz，结点电阻是30pF，当VR=10 V, f=1MHz时结点电阻是7.5pF。光谱应用范围是250nm-1100nm。当λ=633nm, VR=0V时，反应性较小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W，当λ=900nm, VR=0V时，反应性较小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W。当IR=10μA，击穿电压较小值是25V，典型值是60V。当VR=0V, λ=950nm时，噪声等效功率2.5x10-14 W/√HZ。当RL=50Ω, VR=0V，上升时间典型值为190纳秒，当RL=50Ω, VR=10V，上升时间典型值为8纳秒。反向电压100V。暗电流与电压图同AXUVPS7分段光电二极管相同。

存储温度为-55°C~150°C，工作温度为-40°C~125°C，引线焊接温度是260°C。

SXUVPS4分段二极管的特点

- 圆形有效区域（4个象限）

- TO-5，5引脚封装

在R.049(1.25mm)测试条件下，SXUVPS4分段光电二极管每象限有效面积的典型值是1.25mm²。当VR为±10mV时，分流电阻较小值为100欧姆，当IR=1µA时，反向击穿电压较小值是20V。VR=0V时，电容的较大值是500pF。当VR=0V, RL=500Ω，上升时间较大值是1微秒。存储和工作温度与AXUVPS7分段光电二极管相同。

SXUVPS4C分段光电二极管

TO-5，5引脚封装，SXUVPS4C分段光电二极管每象限有效面积的典型值是1.25mm²，在波长254nm时，响应性是0.02A/W。VR=±18V，暗电流典型值是1nA，较大值是100nA。当R=1µA时，反向击穿电压较小值是20V。VR=0V，电容典型值是100pF，较大值是300Pf。VR=0V时，上升时间典型值是1微秒。Vf=±10mV时分流电阻是100欧姆。电容与电压是反比的关系，暗电流与电压是正比的关系。

AXUVPS7分段光电二极管的特点

- 是电子检测的理想选择

- 圆形有效区域

AXUVPS7分段光电二极管在25°C时的电光特性，有效面积的典型值是36.5mm²。响应性的较小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W，较大值是0.09A/W。当VR为±10mV时，分流电阻较小值为10欧姆，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压较小值是5V。VR=0V时，电容的典型值是2nF,较大值是6nf。当VR=2V, RL=50Ω，上升时间较大值是2微秒。