美国Opto Diode近红外和红光增强光电探测器

Opto Diode近红外和红光增强光电探测器，高灵敏度，小尺寸

Opto Diode较先进的NXIR系列近红外增强型光电二极管的设计是为了在630纳米至1100纳米的光谱范围内实现**的性能。对于集成光子系统来说，减少占地面积的芯片产品是激光二极管背面监测的**选择。NXIR系列的较新产品具有坚固的表面贴装器件（SMD）技术，适用于高温操作、雨水和阳光感应应用。

近红外和红光增强(NXIR)光电二极管型号

NXIR-RF36光电二极管的特点

NXIR-RF36光电二极管是近红外小尺寸光电二极管，光敏有效区域是0.6mmx0.6mm。NXIR-RF36光电二极管工作温度是-40°C至+110°C，NXIR-RF36光电二极管符合RoHS和REACH标准，是大批量激光监测应用的理想选择。

NXIR-RF36光电二极管存储和工作温度范围-40°C至110°C，较高结点温度110°C。NXIR-RF36光电二极管有效面积的典型值为0.36mm²,在850nm的波长下，灵敏度是0.65A/W，在Vr=3V时，暗电流的典型值是0.05nA,较大值是0.3nA。在VR=10mV时，分流电阻较小值是200MΩ，典型值是1000MΩ。在IR=10µA时反向击穿电压为25V，在VR=0V的测试条件上，电容的较大值为8pF。VR=10V时上升时间典型值为8纳秒，较大值为15纳秒。

NXIR-RF100光电二极管的特点

NXIR-RF100光电二极管是Optodiode近红外增强型光电探测器，光敏有效区域是1mmx1mm。NXIR-RF100光电二极管有高灵敏度，ʎ=850nm灵敏度是0.62A/W，ʎ=1064nm灵敏度是0.35A/W。NXIR-RF100光电二极管工作温度是-40°C至+125°C。NXIR-RF100光电二极管符合RoHS和REACH标准，是激光监测应用的理想选择。

存储和工作温度范围-40°C~125°C，较高结点温度是125°C。NXIR-RF100光电二极管有效面积的典型值为1mm²,在850nm的波长下，灵敏度是0.62A/W，在1064nm下，响应速度是0.35A/W。光谱响应范围λ为320nm~1100nm。在Vr=3V时，暗电流的典型值是0.1nA,较大值是0.75nA。在VR=10mV时，分流电阻较小值是200MΩ，典型值是500MΩ。在IR=10µA时反向击穿电压为50V，在VR=0V的测试条件上，电容的较大值为3pF。VR=5V时上升时间典型值为50纳秒。

NXIR-RF74光电二极管的特点

NXIR-RF74光电二极管是近红外小尺寸光电二极管，光敏有效区域是0.86mmx0.86mm。NXIR-RF74光电二极管有高灵敏度，ʎ=850nm灵敏度是0.65A/W。NXIR-RF74光电二极管工作温度是-40°C至+110°C。NXIR-RF74光电二极管符合RoHS和REACH标准，是大批量激光监测应用的理想选择。

NXIR-RF74光电二极管有效面积的典型值为0.74mm²，当波长为850nm时，灵敏度是0.65A/W。在Vr=3V时，暗电流的典型值是0.1nA,较大值是0.75nA。在VR=10mV测试条件下，分流电阻的较小值是200MΩ，典型值是800 MΩ。IR=10µA，反向击穿电压较小值为25V，在VR=0V的测试条件上，电容的较大值为8pF。VR=10V时上升时间典型值为8纳秒，较大值为15纳秒。

Optodiode近红外和红光增强光电二极管是高灵敏度光电二极管，在400nm-1100nm时灵敏度是0.35A/W-0.65A/W。Opto Diode近红外和红光增强光电探测器有效面积较大是1mm²，是小尺寸光电二极管。Optodiode近红外增强型光电探测器符合RoHS和REACH标准，是大批量激光监测应用的理想选择。近红外和红光增强光电探测器工作温度范围宽，可以在-40°C~125°C左右工作。

从光谱响应图可以看到在波长850nm之前，灵敏度是随着波长增加而增大，在波长900nm之后，灵敏度随着波长增加而减小。