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德国BATOP公司的单晶砷化镓基底产品主要分为：宽带镀金膜反射镜，AlAs / GaAs布拉格反射镜，900nm长通滤光片。
BATOP还可以在砷化镓基底上提供生长AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多种材料的高质量外延薄膜层。
如果需要尺寸只有几毫米的反射镜或长通滤波器，那么可以在单晶砷化镓衬底上生产这种装置。单晶砷化镓的热导率非常好，高达55w / (m * k) ，由于其立方晶体结构，可以被切割成小的矩形晶片。
宽带镀金膜反射镜：
如果需要尺寸仅为几mm的非常小的宽带镜，那么镀金的GaAs芯片是合适的。 作为反射金层的基板的单晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好导热率。 它可以切割成小的正方形或矩形芯片。镀金膜反射镜可用作波长> 800 nm的宽带反射器。随着波长的增加，反射率还会不断增加。BATOP提供未安装的金镜，标准基板厚度为450μm
可用芯片面积：
4.0mmx 4.0mm
2.0mmx 2.0mm
1.3mmx 1.3mm
根据要求定制尺寸
镀金膜反射镜型号：
型号 | 规格 | 价格 |
Au-M-4x4 | • Thin gold film on single crystalline GaAs | € 70 |
Au-M-2x2 | • Thin gold film on single crystalline GaAs | € 60 |
Au-M-1.3x1.3 | • Thin gold film on single crystalline GaAs | € 50 |
AlAs / GaAs布拉格反射镜
如果需要尺寸只有几毫米的非常小的高反射率反射镜，那么 GaAs 芯片上的单晶 AlAs / GaAs布拉格反射镜是合适的。单晶砷化镓晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好热导率。方便切割成各种尺寸，海纳光学提供标准基片厚度为450μm的未安装布拉格反射镜
可用芯片面积：
4.0mmx 4.0mm
2.0mmx 2.0mm
1.3mmx 1.3mm
根据要求定制尺寸
1030nm AlAs / GaAs布拉格反射镜型号：
型号 | 规格 | 价格 |
B-M-1030nm-4x4 | • Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs | € 70 |
B-M-1030nm-2x2 |
| € 60 |
B-M-1030nm-1.3x1.3 | • Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs | € 50 |
900nm长通滤波片
长通吸收滤光片是用来去除长波长激光信号中的短波长光(例如剩余的泵浦光)。
我们的长通滤波器使用半绝缘砷化镓晶体上的外延半导体吸收层。这种晶圆材料可以根据客户的需要切成长方形的小片。 短波长的光被滤光片吸收，然后转换成热量。为了去除热量，必须使用适当的金属安装件如散热器。BATOP提供标准基片厚度为625μm的未安装长通滤波器。
可用芯片区域:
5.0 mm x 5.0 mm
4.0毫米 x4.0毫米
2.0 mm x 2.0 mm
900nm长通滤光片型号：
LPF-900-5x5 | LPF-900-4x4 | LPF-900-2x2 |
在GaAs衬底上使用900 nm长通滤波片 | GaAs衬底上900 nm的长通滤波片 | GaAs衬底上的900 nm长通滤波片 |
阻带λ<880 nm | 阻带λ<880 nm | 阻带λ<880 nm |
通带λ> 950 nm | 通带λ> 950 nm | 通带λ> 950 nm |
芯片面积：5 mm x 5 mm | 芯片面积：4 mm x 4 mm | 芯片面积：2 mm x 2 mm |
芯片厚度：625μm | 芯片厚度：625μm | 芯片厚度：625μm |
5.0 mm × 5.0 mm 过滤器用1 / 2"或1"铜散热器，或定制尺寸
LPF-900-5x5-12.7gc | LPF-900-5x5-25.4gc |
1/2“铜散热片上的900nm长通滤波器 | 1英寸铜散热片上的长通滤波器900nm |
芯片面积5mmx 5mm | 芯片面积5mmx 5mm |
散热片外径12.7mm | 散热片外径25.4mm米 |
中心孔直径4mm的散热片 | 中心孔直径4 mm的散热片 |
安装方法：胶合 | 安装方法：胶合 |
LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制
BATOP可在砷化镓基底上提供生长 AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多种材料的高质量外延薄膜层，用于 GaAs 晶片的不同应用。某些应用需要快速时间响应器件，如光学探测器、饱和吸收器或光电导天线。我们提供低温外延的生长设备，响应时间约为1 ps。BATOP提供的GaAs衬底上生长的一个或两个单层的砷化镓。
参数：
GaAs（砷化镓）晶圆直径: 2"或4"
较大膜层厚度: 5μm
价格
2"(50.8mm) LT-GaAs 晶圆: 2000欧元
4"(100mm) LT-GaAs 晶圆片: 3500欧元
4"(100mm) LT-InGaAs 晶圆: 4000欧元
4"(100mm) LT-GaAs 晶片，定制金属结构: 7000欧元