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    激光质量分析仪

    更新时间:2024-05-20   浏览数:469
    所属行业:仪器仪表 光学仪器 光电子/激光器件
    发货地址:广东省深圳市龙岗区  
    产品数量:10000.00台
    价格:¥60000.00 元/台 起
    产品名称光束分析仪 品牌以色列DUMA 产品型号M2Beam-Si,M2Beam-UV,M2Beam-IR,M2Beam-U3-VIS-NIR,M2Beam-UV-NIR,SAM3-HP-M 技术工艺刀口式扫描原理,应用Si探测器,InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器 光谱响应(nm)SI传感器:350-1100 InGaAs传感器:800-1800 Enhanced InGaAs 传感器:800-2700 激光功率范围Si:100 μW-1 W(带衰减片) InGaAs&UV:100 μW-5 mW HP:4 kW以下 刀口数7 材质 透镜焦距300mm(在632.6nm时) 透镜直径25mm 扫描次数140 较小步进尺寸100μm 扫描长度280mm 重量2.5kg 尺寸100×173×415 mm 托架M6或1/4“固定 机械调整水平角:±1.5°,垂直角:±1.5° 电缆长度2.5m
    深圳维尔克斯光电有限公司与以色列DUMA公司达成代理协议,专门提供的M2光束质量分析仪由七刀口式Beam Analyzer和移动平台组成,通过采集多个测量面实现对M²因子的测量,整体准确度保持在±5%范围内,满足用户对光束质量参数的需求,主要包括M2因子,发散角以及束腰参数等数据的检测。
    由于Beam Analyzer应用刀口式扫描的原理,需要通过刀口截取激光面,因此无法实现对脉冲激光的检测。为了满足用户对测量激光种类的需求,以色列DUMA公司为用户提供了特殊型号选择,M2Beam-U3-VIS-NIR。该型号采取CMOS传感器搭配移动平台,可以实现对220-1600nm波段脉冲激光的测量,解决了用户对脉冲激光检测的需求。刀口式扫描分析原理的测量精度与光束尺寸无关,因此对于微米级的激光束,刀口扫描式分析相比于狭缝或针孔式原理的测量精度略高,M2Beam激光光束分析仪可以实现实时监控激光光束质量,配置USB3.0接口,通过连接移动端,实现数据快速传输以及便捷使用。
    海纳光学提供M2Beam光束质量分析仪的普通版本以及高功率版本,通过配置风冷束流采样器,可以实现高达4 KW功率的检测,从而保护探测头不受功率损伤。


    光束质量分析仪M2Beam产品特点:
    -可检测连续激光以及脉冲激光
    -*特的断层图像重建技术
    -较大25mm光束尺寸测量
    -USB3.0接口快速数据传输
    -激光质量监控
    -可配置采样器,实现高功率激光检测
    -即插即用,使用便捷 


    光束分析仪M2Beam产品规格参数:


    -输入光束
    激光质量分析仪 M2Beam M2Beam U3
    技术工艺 刀口式扫描原理,应用Si探测器,InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器 USB 3.0接口
    CMOS 2.4MP
    内置过滤论
    光谱响应(nm) SI传感器:350-1100
    InGaAs传感器:800-1800
    Enhanced InGaAs 传感器:800-2700 VIS-NIR:350-1600
    UV-NIR:220-1350
    激光功率范围 Si:100 μW-1 W(带衰减片)
    InGaAs&UV:100 μW-5 mW
    HP:4 kW以下 10μW-100mW,内置滤光轮
    HP:4 kW
    刀口数 7
    光束尺寸 带透镜高达25mm直径(Si&UV版本)
    束腰到透镜距离 2.0~2.5米较佳
    较小2米


    -扫描装配附件
    材质
    透镜焦距 300mm(在632.6nm时)
    透镜直径 25mm
    扫描次数 140
    较小步进尺寸 100μm
    扫描长度 280mm


    -整机
    重量 2.5kg
    尺寸 100×173×415 mm
    托架 M6或1/4“固定
    机械调整 水平角:±1.5°,垂直角:±1.5°
    电缆长度 2.5m


    光束分析仪订购信息:
    M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
    M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
    M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
    M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
    M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
    SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams 


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